Y2電容器Y5P-821K-300VAC

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陶瓷電容是指用高介電常數的電容器陶瓷鈦酸鋇一氧化鈦擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成的電容器。具有小的正電容溫度系數的電容器，用于高穩定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器，低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用。那么為什么陶瓷電容適合做去耦電容呢？下面給大家分析。

陶瓷或多層陶瓷電容具有尺寸緊湊和低損耗特性，通常是數MHz以上的選電容材料，不過陶瓷電介質特性相差很大，對于電源去耦應用，一些類型優于其它類型。采用X7R的高K電介質配方時，陶瓷電介質電容的值高可達數。Z5U和Y5V型的額定電壓高可達200 V。X7R型在直流偏置電壓下的電容變化小于Z5U和Y5V型，因此是較佳選擇。

NP0型使用介電常數較低的配方，具有標稱零TC和低電壓系數（不同于較不穩定的高K型）。NP0型的可用值限于0.1或更低，0.01 是更實用的上限值。多層陶瓷電容的極低電感設計可提供近乎的RF旁路，因此越來越頻繁地用于10 MHz或更高頻率下的旁路和濾波。更小的芯片陶瓷電容工作頻率范圍可達1 GHz。對于高頻應用中的這些及其它電容，通過選擇自諧振頻率高于高目標頻率的電容，可確保有用值符合需要。